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熱誘導化學氣相沉積是用于各種電介質(zhì),半導體和金屬材料的保護涂層的沉積的有力方式，無論是單晶，多晶，無定形或外延狀態(tài)上或大或小的形態(tài)。典型的涂層材料包括熱解碳，碳化硅，氮化硼。通過使用合成前體，涂層非常純凈并目滿足半導體工業(yè)的典型要求，根據(jù)工藝參數(shù)，可以有多種層厚度，從單個或幾個原子層到厚度從10納米到數(shù)百微米的固體保護層或功能層，以及厚度達100微米的單片部件，甚至高達數(shù)毫米。

熱誘導的化學氣相滲透(英語:chemical vaporinfiltration ,CV)是一個與CVD有關的技術，以在基體材料滲入多孔或纖維預成型件以制備由復合材料制成的部件具有改善的機械性能，耐腐蝕性，耐熱沖擊性和低殘余應力。